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台积电再加大投入,研发3nm

返回列表 来源:普乐斯 浏览: 发布日期:2019-11-01 10:05【
文章导读:台积电在过去五年现已投资逾500亿美元在工艺和产品研发,以台积电规划打造台湾贝尔实验室的规划,预定今后几年仍会投入到数百亿美元在新科技和新材料的产品研发,继续扮演台湾半导体业领头羊。鉴于摩尔定律逐渐到了物理ji限,3nm被认为是zui后的一代硅基半导体工艺,因为1nm节点会遭遇严重的干扰。
台积电董事长刘德音昨(31)日主持台湾半导体产业协会(TSIA)年度论坛结语时表露,台积电会扩大产品研发能量,将于竹科新建产品研发中心,打造成台湾的贝尔实验室,预计再扩增8,000名产品研发大军,投入到今后二、三十年科技和材料产品研发及半导体产业的基础研究。
台积电再加大投入,研发3nm-普乐斯
台积电在过去五年现已投资逾500亿美元在工艺和产品研发,以台积电规划打造台湾贝尔实验室的规划,预定今后几年仍会投入到数百亿美元在新科技和新材料的产品研发,继续扮演台湾半导体业领头羊。台积规划新产品研发中心,基地位于新竹县宝山乡,面积约32.7公顷,目前全案已进入环评补件阶段,根据台积电之前的资料,整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式开工建设,耗资超过4000亿新台币,折合879亿人民币或者130亿美元。。台积电幕僚表述,之后台积电3纳米以下的产品研发都会在此产品研发中心进行。
 
鉴于摩尔定律逐渐到了物理ji限,3nm被认为是zui后的一代硅基半导体工艺,因为1nm节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题,三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺,借助使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该工艺可以显著增强晶体管性能,主要是取代FinFET晶体管工艺。
台积电再加大投入,研发3nm-普乐斯
但台积电方面表述,他们 的3nm工艺技术和产品研发十分顺利,目前有初期的客户已参与进来,和台积电一同进行工艺定义,3nm工艺将会在今后更进一步地稳固台积电的行业内的地位。目前,3nm工艺仍在初期产品研发阶段,台积电也并没有提供任何的技术细节,及其性能、功耗指标,例如相比5nm工艺能提升多少,仅仅说3nm将是一个新一代的工艺节点,而不是5nm的改良版。
 
台积电仅仅说,现已评定了3nm工艺全部可能的晶体管结构设计,并与客户一同获得了特别好的解决方法,详细规范已经在进一步开发中,公司有决心符合大客户们的全部需要。
台积电此前曾披露,规划在2022年就量产3nm工艺。台积电追求工艺自主,这几年继续扩大产品研发规模,经费逐渐提升,光去年的产品研发经费就已占营收的8%,约达858.95亿元之高,较前年的807.32亿元增加,也超越台湾半导体业界,今年占比估为8.6%,金额站上千亿元,再写新猷。

本文来源:经济日报
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