普乐斯晶圆等离子清洗机介绍
文章导读：晶圆等离子清洗机是半导体晶圆制造、28nm 及以上成熟封装、TSV、RDL、倒装芯片产线专用干式精密处理设备，依靠真空环境下射频 / 微波等离子实现纳米级超净清洗、残胶剥离、焊盘去氧化、表面活化，替代高污染湿法化学清洗，是芯片良率提升的核心工序设备。
晶圆等离子清洗机是半导体晶圆制造、28nm 及以上成熟封装、TSV、RDL、倒装芯片产线专用干式精密处理设备，依靠真空环境下射频 / 微波等离子实现纳米级超净清洗、残胶剥离、焊盘去氧化、表面活化，替代高污染湿法化学清洗，是芯片良率提升的核心工序设备。
一、整机核心硬件组成
真空密闭腔体与晶圆承载系统
腔体采用高洁净 316 不锈钢镜面抛光，无析出金属杂质；配套分层专用晶圆石墨 / 特氟龙载片托架，兼容 4/6/8 寸整片晶圆、切割后单颗芯片。分为单腔体批量机型 PR240L、双腔体独立工艺 JY-60LS，双腔体可同时运行两套不同工艺，产能翻倍、工序互不干扰。
射频 / 微波等离子激励系统
主流工业机型搭载 13.56MHz 自研射频电源，功率稳定可调、自动阻抗匹配；高端敏感器件可选 2.45GHz 无电极微波模组，自偏压低、无金属溅射污染。水冷电极恒温结构，腔体稳态温度≤45℃，超薄晶圆、PI 钝化层不会热变形灼伤。
高精度气路与真空单元
多路高纯度质量流量计，精准控制 O₂、Ar、Ar/H₂、CF₄工艺气体；干泵 + 分子泵组合快速抽真空，120 秒内达到 20–100Pa 标准工艺真空，气体配比误差极小，保障整片晶圆处理均匀性偏差≤±2%。
无尘级智能 PLC 控制系统
7 寸工业触控屏，存储上百套标准化晶圆工艺配方；具备门控联锁、过流 / 过温 / 真空异常多重保护，完整记录真空、功率、气体、时长参数，满足半导体车间品质追溯规范，适配万级、千级无尘车间环境。
二、四大核心工艺功能
光刻胶干法剥离与微孔除残胶
氧气等离子氧化分解光刻胶、聚合物残渣，可深入 TSV 硅通孔、微盲孔侧壁，去除湿法药水无法清洗的沟槽残留，杜绝芯片漏电、开路缺陷。
焊盘温和去氧化处理
氩氢混合等离子还原铜、铝、金焊盘表层氧化层，不腐蚀薄金属镀层，大幅提升金丝 / 铝丝键合强度，降低虚焊、接触电阻漂移不良率。
RDL 重布线、凸块 Bump 前活化
对 PI 钝化层表面引入极性基团，提升镀铜、填充胶浸润附着力，解决层间分层、RDL 线路开裂问题。
晶圆切割后微颗粒清洗
去除划片产生的硅粉、有机碎屑，避免颗粒造成封装短路、封装爆米花效应。
三、全产业链落地应用场景
晶圆前段制程：光刻前板面洁净、离子注入后残胶去除、硅片表面改性；
先进封装制程：TSV 硅通孔清洗、倒装芯片底部填充预处理、QFN/SIP 塑封前清洁；
功率半导体：IGBT、SiC/GaN 第三代半导体晶圆键合前处理；
光电子与 MEMS：传感器晶圆、微流控硅片、红外光学晶圆超净处理；
存储芯片：DRAM、Flash 晶圆凸点、再布线工序配套清洗。
四、普乐斯晶圆机型核心优势
整机适配国产半导体产线，可对接自动晶圆传载机构；全套核心电源、腔体、气路自研，交付周期远短于日系进口设备；分批量射频机型、低损伤微波机型两套方案，兼顾量产成本与超高洁净需求；整机低臭氧排放，配套尾气中和装置，符合无尘车间环保标准。
亲，如果您对等离子体表面处理机有需求或者想了解更多详细信息，欢迎点击普乐斯的在线客服进行咨询，或者直接拨打全国统一服务热线400-816-9009，普乐斯恭候您的来电！
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