等离子表面处理机在晶圆处理方面经过哪些历程？
文章导读：半导体行业中，等离子体表面处理的应用是从哪个年度兴起的，你知道吗？下面我就给你讲解下：
半导体行业中，等离子体表面处理（等离子清洗机）的应用是从哪个年度兴起的，你知道吗？下面我就给你讲解下：
早期探索（19 世纪末 - 20 世纪 50 年代）
19 世纪末，威廉・克鲁克斯爵士等物理学家进行了有关电离气体的实验，揭示了等离子体的基本原理，为等离子体技术的发展奠定了理论基础。当时的研究主要集中在理解等离子体的产生和特性上，通过将气体置于高能量或电磁场中使其电离，产生了这种独特的物质状态。
20 世纪初，真空技术的出现进一步推动了对等离子体的研究，使科学家们能够更好地控制实验环境，深入了解等离子体的性质。
1951 年，IBM 工程师西蒙・拉莫观察到高频电容器放电会在铝表面产生蚀刻现象，这一发现标志着等离子处理在集成电路制造中的首次应用，为晶圆等离子处理技术的发展拉开了序幕。
技术形成与发展（20 世纪 60 - 80 年代）
20 世纪 60 年代，刻蚀技术以湿法工艺为主，将硅片浸泡在化学液体中除去不需要的部分，但存在刻蚀速度不可控、偏差较大的问题。
到了 70 年代，为了制造更小规模的器件，等离子蚀刻技术被引入微电子行业。等离子蚀刻是一种在气体等离子环境中以定向和材料选择性的方式将光刻定义的抗蚀剂图案转移到形成集成电路材料中的方法，最初主要用于硅、二氧化硅、氮化硅和铝等材料的处理。
80 年代，美国应用材料公司研发出 “干刻法工艺”，利用电极板产生等离子对晶圆表面刻蚀，即电容性等离子刻蚀（CCP），这种方法具有较强的 “各向异性”，能对晶圆进行微细的雕刻。
快速发展与创新（20 世纪 90 年代 - 21 世纪初）
1990 年，Lam Research 提出了历史上第一台基于 ICP（电感耦合等离子体）的刻蚀机1。ICP 能够在低压下产生较高浓度的等离子体，成为新一代刻蚀机的发展方向，推动了等离子刻蚀技术在更小尺寸芯片制造中的应用。
随着芯片制程的不断缩小，对晶圆表面质量的要求越来越高。21 世纪初，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等技术得到了广泛应用，能够在较低温度下实现薄膜沉积，提高了薄膜质量和均匀性，满足了芯片制造中对各种薄膜材料的需求。
持续创新与挑战（21 世纪以来）
进入 21 世纪，传统的半导体微缩方法面临挑战，等离子蚀刻技术也不断创新以应对新的需求。例如，原子层蚀刻（ALE）技术在半导体行业中得到应用，通过分离反应物吸附和蚀刻循环，可实现原子级精度的图案转移和选择性。
随着器件结构从平面向 3D 演变，如逻辑中的堆叠式环绕栅极（GAA）器件和存储器中的 3D - NAND 器件，等离子蚀刻需要应对更高的图案化难度，保持图案保真度、提高材料选择性和避免等离子诱导损伤（PID）成为重要的研究方向。
同时，新材料如二维材料、低 k 电介质、相变材料等在半导体中的应用，也对等离子处理技术提出了新的要求，需要开发出适应这些新材料的低损伤蚀刻方法。
亲，如果您对等离子体表面处理机有需求或者想了解更多详细信息，欢迎点击普乐斯的在线客服进行咨询，或者直接拨打全国统一服务热线400-816-9009，普乐斯恭候您的来电！
19 世纪末，威廉・克鲁克斯爵士等物理学家进行了有关电离气体的实验，揭示了等离子体的基本原理，为等离子体技术的发展奠定了理论基础。当时的研究主要集中在理解等离子体的产生和特性上，通过将气体置于高能量或电磁场中使其电离，产生了这种独特的物质状态。
20 世纪初，真空技术的出现进一步推动了对等离子体的研究，使科学家们能够更好地控制实验环境，深入了解等离子体的性质。
1951 年，IBM 工程师西蒙・拉莫观察到高频电容器放电会在铝表面产生蚀刻现象，这一发现标志着等离子处理在集成电路制造中的首次应用，为晶圆等离子处理技术的发展拉开了序幕。
技术形成与发展（20 世纪 60 - 80 年代）
20 世纪 60 年代，刻蚀技术以湿法工艺为主，将硅片浸泡在化学液体中除去不需要的部分，但存在刻蚀速度不可控、偏差较大的问题。
到了 70 年代，为了制造更小规模的器件，等离子蚀刻技术被引入微电子行业。等离子蚀刻是一种在气体等离子环境中以定向和材料选择性的方式将光刻定义的抗蚀剂图案转移到形成集成电路材料中的方法，最初主要用于硅、二氧化硅、氮化硅和铝等材料的处理。
80 年代，美国应用材料公司研发出 “干刻法工艺”，利用电极板产生等离子对晶圆表面刻蚀，即电容性等离子刻蚀（CCP），这种方法具有较强的 “各向异性”，能对晶圆进行微细的雕刻。
1990 年，Lam Research 提出了历史上第一台基于 ICP（电感耦合等离子体）的刻蚀机1。ICP 能够在低压下产生较高浓度的等离子体，成为新一代刻蚀机的发展方向，推动了等离子刻蚀技术在更小尺寸芯片制造中的应用。
随着芯片制程的不断缩小，对晶圆表面质量的要求越来越高。21 世纪初，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等技术得到了广泛应用，能够在较低温度下实现薄膜沉积，提高了薄膜质量和均匀性，满足了芯片制造中对各种薄膜材料的需求。
持续创新与挑战（21 世纪以来）
进入 21 世纪，传统的半导体微缩方法面临挑战，等离子蚀刻技术也不断创新以应对新的需求。例如，原子层蚀刻（ALE）技术在半导体行业中得到应用，通过分离反应物吸附和蚀刻循环，可实现原子级精度的图案转移和选择性。
随着器件结构从平面向 3D 演变，如逻辑中的堆叠式环绕栅极（GAA）器件和存储器中的 3D - NAND 器件，等离子蚀刻需要应对更高的图案化难度，保持图案保真度、提高材料选择性和避免等离子诱导损伤（PID）成为重要的研究方向。
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