台积电宣布研发2nm工艺，预计四年后投产

在台积电目前的工艺规划中，7nm工艺去年已经量产，7nm+第1次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产，6nm只是7nm的一个升级版，明年第1季度将进行试产。

5nm全面导入EUV极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)，之后还有个增强版的N5P工艺。

3nm有望在2021年试产、2022年量产。在3nm之后就要进入2nm工艺了，实际上台积电今年6月份就宣布研发2nm工艺了，工厂设置在位于中国台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

不过台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，性能、功耗等指标更是无从谈起。

本文来源：快科技
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