晶圆光刻工序是整个晶圆代工流程中重要的工序之一。其原理是在晶圆片表面覆盖一层具有高度光敏感性光阻剂，再用光线透过掩模照射在晶圆片表面，被光线照射到的光阻剂会发生反应，从而达到电路图的移转。
晶圆刻蚀：就是通过光阻剂暴露区域来去掉晶圆表层的工艺。主要分为两大类：湿式刻蚀和干式刻蚀。简单区分，湿式刻蚀局限在2微米以上图形尺寸，而干式刻蚀则用在更加精细且要求更高的先进电路中。
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