一、 核心必设参数
所有手套箱等离子清洗机的基础参数均围绕这四大维度设置,是等离子体生成和处理效果的关键,腔机分离式机型的主机 / 触摸屏可直接调节,部分高端机型支持参数保存和一键调用。| 参数维度 | 可调范围(主流机型) | 核心作用 | 通用设置原则 |
| 工艺真空度 | 1~100Pa | 决定等离子体密度和均匀性,低真空(1~10Pa)等离子体更致密,适用于刻蚀;中真空(10~50Pa)兼顾均匀性和低温,为清洁 / 活化通用区间 | 热敏材料(钙钛矿 / PI):30~50Pa(高真空易升温);硬材质(金属 / 硅片):10~30Pa;刻蚀工艺:1~10Pa |
| 工艺气体 / 配比 | 单气体(Ar/O₂/N₂/H₂)混合气(比例 0~100% 可调) | 决定处理类型(清洁 / 活化 / 去氧化 / 刻蚀),是物理 / 化学作用的核心依据 | 物理作用(去颗粒 / 刻蚀):纯 Ar;化学清洁(去有机物):Ar/O₂;活化(提表面能):Ar/N₂;金属去氧化:Ar/H₂ |
| 射频功率 | 0~500W(常规 0~200W) | 决定等离子体的能量,功率越高活性粒子动能越大,处理效率越高,但易升温损伤热敏材料 | 热敏材料:60~100W(超低温);硬材质:100~200W;刻蚀:200~300W;严禁无气体时开功率 |
| 处理时间 | 0~60min(常规 1~8min) | 决定处理程度,时间越长清洁 / 刻蚀越彻底,但易导致表面过度刻蚀 / 升温 | 热敏材料:1~3min;硬材质:3~8min;批量小工件:适当延长 1~2min,保证均匀性 |
| 气体流量 | 10~200sccm | 辅助维持工艺真空度稳定,保证等离子体持续均匀生成 | 单气体:50~100sccm;混合气:总流量 50~100sccm,按配比分配各气体流量 |
二、 分工艺类型通用参数表
按手套箱等离子清洗机最常用的5 类核心工艺整理标准化参数,适配所有常规材质,热敏材料在此基础上降低功率、缩短时间,水氧敏感材料避免用 O₂,优先纯 Ar。| 工艺类型 | 推荐气体 / 配比 | 射频功率(W) | 工艺真空度(Pa) | 气体流量(sccm) | 处理时间(min) | 核心适用场景 |
| 物理清洁(去颗粒 / 轻度除杂) | 纯 Ar | 80~120 | 30~50 | 50~80 | 1~3 | 钙钛矿衬底、光学镜片、PDMS 表面去颗粒 |
| 化学清洁(去有机物 / 脱模剂) | Ar:O₂=9:1/8:2 | 100~150 | 20~30 | 总 80(Ar72/O₂8) | 2~5 | PDMS 微流控芯片、塑料件、ITO 玻璃去油污 |
| 表面活化(提表面能 / 增附着力) | Ar:N₂=8:2/7:3 | 60~100 | 30~40 | 总 60(Ar48/N₂12) | 1~3 | 钙钛矿衬底、柔性 PI/PET、硅片键合前活化 |
| 金属去氧化(还原氧化层 / 降接触电阻) | Ar:H₂=9.5:0.5/9:1 | 100~180 | 20~25 | 总 70(Ar66.5/H₂3.5) | 2~4 | 铜 / 铝极片、芯片引脚、钛合金精密件去氧化 |
| 轻度刻蚀(微粗糙化 / 增比表面积) | 纯 Ar | 150~250 | 5~20 | 80~100 | 3~8 | 石墨烯、碳纤维、硅片表面微刻蚀 |

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