侧壁蚀刻倾斜度的优势在于，当具有一定程度的倾斜度时，可以有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，以及改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定程度的倾斜度的示意图：
通过多次的变量测试和实验，我们可以通过真空度、等离子发生器的功率、CF4流量、O2流量、气体流量比、腔内压强以及处理时间等不同变量的研究，能够找到一个适合的氮化硅层侧壁刻蚀倾角。
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