一、硅光 / 光芯片（真空低温等离子）
波导 / 光栅除残胶：O₂+Ar，微波真空，去除光刻残渣、微颗粒，降光损、提耦合效率
焊盘固晶键合前：Ar+H₂，射频真空，还原金属氧化，提升粘接与键合拉力
二、2.5D 中介层 & 微凸点（真空等离子）
TSV/RDL 清洗：O₂+Ar，低压 ICP，去除孔内电镀残渣，降低互联电阻
Cu 凸点除氧化：Ar+H₂，还原除氧，改善倒装焊润湿，减少焊点空洞
芯片混合键合活化：纯 O₂，低温真空，提升表面能，实现低温键合防翘裂
三、FA 光纤阵列 + 光学器件（真空等离子）
V 槽 / 插芯端面清洁：O₂+Ar，批量真空，去除研磨粉，减小插入损耗
透镜点胶前活化：纯 O₂，真空，提升 UV 胶附着力，冷热循环不开胶
四、高速 PCB / 载板（两种机型）
SMT 焊盘 / 金手指：小批量真空 O₂；量产流水线常压 N₂+O₂喷射，去氧化、改善可焊性
Underfill 底填前：精密件真空 O₂、量产常压，提升胶水铺展，杜绝气泡空洞
五、模组壳体密封（真空 O₂等离子）
金属底座、密封槽：纯氧气真空活化，清除油污氧化，增强密封胶粘结，保障气密性
工艺选型总结
真空等离子：适用于硅光芯片、光学器件、FA光纤、2.5D封装、壳体密封等高精度、3D结构、深孔死角场景，主打低温、精密、均匀、无损伤。
常压等离子：适用于高速PCB、载板平面量产场景，可对接自动化产线，效率高、适合大批量SMT前置处理。
O₂负责清洁活化、Ar负责物理除颗粒、Ar+H₂负责金属去氧化，三种工艺搭配覆盖CPO全流程，是提升良率、降低光损、强化封装可靠性的核心干式工艺。
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